Измеритель параметров мощных транзисторов и диодов
Применяется для входного технологического контроля в лабораторных и цеховых условиях.
Измеритель параметров мощных транзисторов и диодов
Заменяет прибор
Технические характеристики приборов измерители параметров мощных транзисторов и диодов
Пределы измерения:
— статистического коэффициента передачи по току h21э+I5 — 9990 обратных токов Iкбо, Iэбо. начального тока Iк мас транзисторов;
— обратного тока диодов — 10-
— напряжений насыщения Uбэнас, Uкэнач прямого напряжения диодов — 0,
Пределы измерения модуля коэффициента передачи по току |h21э|1 прибора измеритель параметров мощных транзисторов и диодов
Погрешность измерений — 5%;
Режимные напряжения — 0,
Режимные токи прибора измеритель параметров мощных транзисторов и диодов
Потребляемая мощность — 300В·А;
Габариты — 480×488×175 мм (2 блока);
Масса прибора измеритель параметров мощных транзисторов и диодов