Измеритель параметров мощных транзисторов и диодов
Применяется для входного технологического контроля в лабораторных и цеховых условиях.
Измеритель параметров мощных транзисторов и диодов
Заменяет прибор
Технические характеристики приборов измерители параметров мощных транзисторов и диодов
Пределы измерения:
— статистического коэффициента передачи по току h21э+I — 5–9990;
— малосигнального коэффициента передачи по току h21э+I — 2–9990;
— обратных токов Iкбо, Iэбо, Iобр начального тока Iкэнач транзисторов — 10-
— напряжений насыщения Uбэнас, Uкэнач прямого напряжения диодов — 0,
— обратного тока диодов — 10-
Погрешность измерений прибором измеритель параметров мощных транзисторов и диодов
Режимные напряжения — 0,
Режимные токи прибора измеритель параметров мощных транзисторов и диодов
Потребляемая мощность — 250В·А;
Габариты — 480×488×175 мм (2 блока);
Масса прибора измеритель параметров мощных транзисторов и диодов